【金年會jinnianhui科技消息】近日，三星電子在臺北電腦展2026期間公布下一代存儲方案，首次展示第八代高帶寬內存HBM5樣品，并表示將推進一項名為HPB的散熱技術在后續產品中的應用，以應對AI系統持續提升帶來的發熱問題。

　　三星電子DS部門首席技術官宋在赫于在展會現場介紹稱，隨著AI產業快速變化，覆蓋存儲、代工、邏輯和封裝的整體方案能力正變得更加重要。與此同時，AI系統正向超高性能和超高集成方向演進，競爭焦點已不再局限于單純的存儲性能，數據處理效率和熱管理能力也成為關鍵因素。

　　此次亮相的HBM5樣品屬于開發完成前的外觀模型。三星稱，面向HBM5的一項核心技術是HPB，即通過新增獨立熱傳導路徑，降低熱阻，并讓物理層區域產生的熱量更高效地擴散和釋放，從而提升運行穩定性。按照三星的說法，該技術有望在高帶寬、高集成的AI應用環境中改善系統整體效率。

　　三星還透露，HPB技術已在HBM4E產品上完成實現與驗證，后續將正式導入HBM5，以進一步提升產品性能和穩定性。此前，三星已表示計劃在HBM5中率先采用2納米基礎芯片。

　　除HBM5外，三星在本次展會上還展示了HBM4E晶圓和芯片組。該產品采用1c DRAM核心芯片與自家4納米工藝基礎芯片組合的結構。根據三星此前公布的信息，HBM4E已于5月29日完成行業首個樣品出貨，能夠以每引腳14Gbps穩定運行，最高可達16Gbps，對應最大帶寬4TB/s。三星表示，未來將繼續與包括英偉達在內的全球企業展開合作，強化下一代存儲技術競爭力。

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